반도체 제조 공정 (semiconductor manufacturing process)

1. 전공정

• 실리콘 잉곳 성장 - 고순도 실리콘을 녹여 단결정 실리콘 잉곳을 성장시킵니다.

• 웨이퍼 제조 - 잉곳을 얇게 절단하여 웨이퍼를 만들고 표면을 연마합니다.

• 산화 공정 - 웨이퍼 표면에 SiO2 절연막을 형성합니다.

• 포토리소그래피 - 회로 패턴을 웨이퍼 위에 전사하는 핵심 공정입니다.

• 식각 및 이온주입 - 불필요한 부분을 제거하고 이온을 주입하여 전기적 특성을 형성합니다.

• 박막증착 및 금속배선 - CVD, PVD 등을 이용하여 박막을 형성하고 금속 배선을 만듭니다.

• CMP 평탄화 - Chemical Mechanical Polishing으로 웨이퍼 표면을 평탄화합니다.

2. 후공정

• 패키징 공정 - 다이싱 → 다이 어태치 → 와이어 본딩 → 몰딩 

• 최종 테스트 - 웨이퍼 테스트 및 패키지 테스트를 통해 최종 품질을 검사합니다.